MSI Pm9m-v User Manual
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83 Advance DRAM Configuration > DRAM CAS# Latency
ここではDRAMが読み込みコマンドを受信した後、読み込みを開始するまでのタイミング遅延で
あるCASレイテンシを設定します。[2.5T]は [2T]より、安定したパフォーマンスを提供できます。
[By SPD]に設定すると、DRAM CAS# Latencyが自動的に有効にされ、DRAMモジュールの
SPD EEPROM配列に基づいたBIOSに決定されます。
FSB/Memory Ratio
手動でメモリのFSB/倍率を調整できます。
Adjusted DDR Memory Frequency
この項目で調整したDDRメモリの周波数を参照できます。（読取専用）
Auto Disable DIMM/PCI Frequency
[Enabled]に設定すると、システムはDIMMとPCIスロットからクロックを除去し、電磁妨害を最小
化します(EMI)。
Memory/ NB Voltage
速度を上げるためにメモリ/ノースブリッジの電圧を調整します。電圧を変更すると、システムが不...](http://img.usermanuals.tech/thumb/53/76921/w64_d_1497517625-msi-pm9m-v-user-manual_d-88.png "Page 89
83 Advance DRAM Configuration > DRAM CAS# Latency
ここではDRAMが読み込みコマンドを受信した後、読み込みを開始するまでのタイミング遅延で
あるCASレイテンシを設定します。[2.5T]は [2T]より、安定したパフォーマンスを提供できます。
[By SPD]に設定すると、DRAM CAS# Latencyが自動的に有効にされ、DRAMモジュールの
SPD EEPROM配列に基づいたBIOSに決定されます。
FSB/Memory Ratio
手動でメモリのFSB/倍率を調整できます。
Adjusted DDR Memory Frequency
この項目で調整したDDRメモリの周波数を参照できます。（読取専用）
Auto Disable DIMM/PCI Frequency
[Enabled]に設定すると、システムはDIMMとPCIスロットからクロックを除去し、電磁妨害を最小
化します(EMI)。
Memory/ NB Voltage
速度を上げるためにメモリ/ノースブリッジの電圧を調整します。電圧を変更すると、システムが不...")
有毒有害物质或元素名称及含量标识 有毒有害物质或元素 部件名称 铅(Pb) 汞(Hg) 镉(Cd) 六价铬(Cr(VI)) 多溴联苯(PBB) 多溴二苯醚(PBDE) PCB板 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 结构件 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 芯 片 × ○ ○ ○ ○ ○ 连接器 × ○ ○ ○ ○ ○ 被动电子元器件有× ○ ○ ○ ○ ○ 线材 ○ ○ ○ ○ ○ ○ O：表示该有毒有害物质在该部件所有均质材料中的含量均在SJ/T11363-2006规定的限量要求以下。有X：表示该有毒有害物质至少在该部件的某一均貭材料中的含量超出SJ/T11363-2006规定的限量要求。有附记 : 请参照 •含铅的电子组件。 •钢合金中铅的含量达0.35%，铝合金中含量达0.4%，铜合金中的含量达4%。 •-铅使用于高熔点之焊料时(即铅合金之铅含量大于或等于85%) -铅使用于电子陶瓷零件。 •含铅之焊料，用于连接接脚(pins)与微处理器(microprocessors)封装，此焊料由两个以上元素所组成且 含量介于80~85%。 •含铅之焊料使用于集成电路覆晶封装(Flip Chippackages)内部；介于半导体芯片和载体间，来完成电 力连结。